方攀
个人信息 | |||
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姓名 | 方攀 | 性别 | 男 |
职称 | 助理工程师 | 学历 | 本科 |
学科 | 材料科学与工程 | 电话 | 028-65726195 |
邮箱 | kdchina@sina.cn | 地址 | 四川省成都市双流区银河路596号,新材料中心 |
简历介绍
- 方攀(1988.7~),2010年毕业于北京航空航天大学,工学学士。 2010.7在中航集团液压机械从事力学模拟分析工作; 2012年进入四川省新材料研究中心,从事红外激光材料的原料合成与大晶体生长工作。 个人特色产品及工艺技术:炉体温场设计与炉体制作、炉体温控设备制作、磷锗锌多晶合成技术、磷锗锌水平单晶生长工艺、硫镓银多晶稳定合成技术、硫镓银坩埚下降法单晶生长工艺、硫镓银单晶器件退火工艺、碲化铅坩埚下降法生长工艺、硒化镉气相沉积法单晶生长技术。
研究方向
磷硫族多晶安全合成工艺,新型红外晶体单晶生长,晶体与器件的退火工艺